在真空容器内，将基材与作为靶材的金属相对放置，抽真空后，注入少量氩气，在基材（+）与金属（-）之间施加直流电压，使其发生放电。这种放电导致氩离子化并与金属发生碰撞。从而让金属原子或离子从靶材上飞溅出来，堆积在基材上。这种工艺方法称为直流溅镀，具体来说包括以下几种方法。
（1）直流溅镀
采用直流辉光放电，包括2极、3极和4极溅镀。在2极溅镀中，靶材为1极，在产生等离子体的同时对离子进行加速。3极和4极溅射另外设置有单独的热阴极用于产生等离子体，因此可以采用大范围的成膜压力。
（2）高频溅镀
直流溅镀仅可用于导电材质的靶材，而在RF法中，由于利用辉光放电，因此可以将绝缘体用作靶材，实现大范围成膜。
（3）磁控溅镀
在这种工艺方法中，在靶材上会放置磁铁以提高电离效率，因此成膜速率更高。由于可以在比普通溅镀更低的压力下进行加工，基板温度上升较少，因此这一工艺也被称为低温溅镀。
（4）ECR溅镀
这一工艺是利用微波和电子回旋共振（ECR）现象产生等离子体，因此可以在低温条件下高速形成大范围的薄膜。
（5）离子溅镀
这一工艺是在专用位置产生等离子体，所产生的离子被磁铁加速并高速撞击靶材，从而在基材上形成薄膜。因此可在高真空条件下形成高纯度镀膜。其缺点在于成膜速度较低。
像这样利用真空蒸镀以及坩埚进行的离子镀膜工艺，由于是利用物质的蒸气压进行加工，所以难以进行合金等的成膜，但是采用溅镀工艺，可以在采用一定措施的情况下解决这一问题。
